藍寶石晶棒是三氧化二鋁晶體，用來生產(chǎn)藍寶石基板
藍寶石晶棒的應(yīng)用就是藍寶石的應(yīng)用。只要我們知道它的性能，就能知道它應(yīng)用在哪些方面。
藍寶石為六方晶格結(jié)構(gòu)，很多特性便是由其晶向決定的。 通過外延晶膜生長，不同的晶向?qū)⒊尸F(xiàn)不同的晶格與目標材料匹配。 --藍寶石有一定的雙折射特性，特殊的結(jié)晶軸被用于一些光學領(lǐng)域，比如極化 基底： --c型切面的藍寶石基底被用于生長III-V 與II-VI族沉積薄膜，比如氮化鎵，可以產(chǎn)出藍色的LED產(chǎn)品、激光二極管以及紅外線探測儀的應(yīng)用。 --A型基底產(chǎn)生統(tǒng)一的電容率/介質(zhì)，并且高度絕緣被應(yīng)用于混合微電子技術(shù)中。高溫的超導(dǎo)體可由A型基底長晶產(chǎn)生。 --R型基底生長的不同沉積的硅料外延長晶，被應(yīng)用于微電子集成電路。藍寶石由于其高電容率的特性，是混合基底的最佳選擇，例如在微波集成電路中的應(yīng)用。此外，在對外延硅生長制膜的過程中，還可以形成高速的集成電路和壓力傳感器。在制作砣、其它超導(dǎo)組件、高阻電阻器、砷化鎵時亦可應(yīng)用R型基底生長。 --M、A、R型均可生長非極性或半極性的氮化鎵。藍寶石作為商業(yè)產(chǎn)品仍然需要大量的研究提高氮化鎵磊晶的材料品質(zhì)。 純度： --藍寶石是一種絕緣材料，其半導(dǎo)體特性是由摻雜物質(zhì)及雜質(zhì)導(dǎo)致改變的。因此，大部分的純度控制不是因為對其基底材料的嚴格控制（硅料、砷化鎵、磷化銦…），而是由一些微量的摻雜物質(zhì)改變其光學特性（顏色、光導(dǎo)范圍），這對于某些領(lǐng)域的應(yīng)用是至關(guān)重要的（光學、軍事）。 --由于藍寶石的純度在應(yīng)用于CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）時對電性質(zhì)及金屬表面交叉污染有強烈的影響，因此在SoS（藍寶石上硅大規(guī)模集成電路）的應(yīng)用中亦至關(guān)重要�，F(xiàn)在還沒有證明藍寶石純度對LED的應(yīng)用有影響，SoS生產(chǎn)制造商將其特性歸結(jié)于藍寶石基底。 導(dǎo)模法（定邊膜喂法）： 加熱/熔化 →→→→放入籽晶/拉晶→→→→ 切割 --2米長100毫米寬的絲帶狀或9*26、12*20英尺的巨大藍寶石板狀 --管狀藍寶石超過65英尺長，或其他形狀 --藍寶石晶體通過不同的基底（A、R、C、其他）被拉伸為不同的晶向排列，主要應(yīng)用于工業(yè)與機械制造業(yè) --在惰性氣體（氮氣、氬氣）中其生長速度為1~5厘米/小時 --不同的晶體可以同時開始長晶（有時候可以超過20種）
